一项新研究通过TCAD仿真详细分析了DRAM读取干扰现象，该现象包括RowHammer和RowPress两种表现形式，是影响芯片鲁棒性的重要问题。这类干扰会导致DRAM访问过程中其他存储位置发生意外的比特翻转。研究团队通过TCAD仿真弥合了实验表征与器件级物理模型之间的差距，总结了更新的错误机制并识别了影响仿真结果的…